Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.6

Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 400КГц

M24128-BWMN6TP

Наличие: 7766 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц 8SOIC

AT24CM01-SSHD-T

Наличие: 2213 шт

Энергонезависимая память

M48Z58Y-70PC1

Наличие: 87 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 16K-бит 2K x 8 3.3В/5В

M24C16-WMN6TP

Наличие: 7229 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 2Kx8

AT24C16C-SSHM-T

Наличие: 12094 шт

Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В

IS61WV25616EDBLL-10TLI

Наличие: 1269 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512кбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC

FM24V05-GTR

Наличие: 2379 шт

Память

ZD24C08A-STGMT

Наличие: 36253 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 5МГц 8SO

M95256-WMN6P

Наличие: 1245 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) электропитание 3В/3.3В 512Мбит 512M/256M/128M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin

MX25L51245GZ2I-10G

Наличие: 1553 шт

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 400КГц 8TSSOP

M24C16-WDW6TP

Наличие: 2728 шт

Флэш-память 128 Мбит 50Мгц многоуровневая низковольтная

GD25Q128ESIGR

Наличие: 22382 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 8Mбит 100МГц 8SOIC

AT25DF081A-SSH-T

Наличие: 2489 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 20МГц шина SPI 8SOIC

FM25L04B-GTR

Наличие: 5777 шт

Память

FM25Q128A-SOB-T-G

Наличие: 93 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 100КГц SOT23-3

11AA02E48T-I/TT

Наличие: 13409 шт

Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит), электропитание 1.7В шина SPI

AT45DB081E-SSHN-T

Наличие: 16061 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 4Mбит 85МГц 8SOIC

AT45DB041E-SSHN-T

Наличие: 9522 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц 8TSSOP

M24C02-WDW6TP

Наличие: 6010 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21