Микросхемы памяти, стр.8
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Наименование | |
|---|---|
| Наименование | Производитель | Наличие | Срок | Цена с НДС | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | INFINEON | 4207 шт Минимум: 2 | 3 дня |
| |||||||||||||
W25N01GVZEIG Флэш-памяит архитектура И-НЕ параллельная (шины SPI, Dual SPI, Quad SPI) питание 3В/3.3В 1Г-бит 128Mx8 7нс 8-Pin WSON EP лоток  | WINBOND | 165 шт Минимум: 2 | 1 день |
| |||||||||||||
 | GIGADEV | 3436 шт | 1 день |
| |||||||||||||
CAT24C128WI-GT3 Энергонезависимая память тип: EEPROM, интефейс: Serial, I2C; 16Kx8, 400kHz, 1.8...5.5V  | ONS | 1605 шт Минимум: 11 | 3 дня |
| |||||||||||||
 | ONS | 9188 шт Минимум: 9 | 3 дня |
| |||||||||||||
MX25L3206EM2I-12G Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 32Mбитt 32M/16M x 1/2-битt 6нс  | MX | 193 шт Минимум: 3 | 1 день |
| |||||||||||||
 | MCHP | 5 шт | 3 дня |
| |||||||||||||
EPCQ64ASI16N EPCQ64ASI16N, микросхема памяти, SRAM, 64 Мбит, 100 МГц, -40…+85 °С, 3.3 В, 100 мкА, корпус SOIC-16  | ALTERA | 44 шт | 3 дня |
| |||||||||||||
 | STM | 219 шт Минимум: 13 | 1 день |
| |||||||||||||
 | ISSI | 850 шт Минимум: 2 | 3 дня |
|
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
