Микросхемы памяти, стр.4
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Наименование | |
|---|---|
| Наименование | Производитель | Наличие | Срок | Цена с НДС | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STM | 6418 шт Минимум: 21 | 3 дня |
| |||||||||||||
 | INFINEON | 234 шт | 3 дня |
| |||||||||||||
 | STM | 2725 шт Минимум: 17 | 3 дня |
| |||||||||||||
 | INFINEON | 6405 шт Минимум: 5 | 3 дня |
| |||||||||||||
M95256-RMN6TP Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 256 K-бит (32768 x 8), 10МГц, электропитание 1.8...5.5В -40°...+85°С  | STM | 396 шт Минимум: 6 | 1 день |
| |||||||||||||
 | STM | 3776 шт Минимум: 27 | 3 дня |
| |||||||||||||
MX25L51245GZ2I-10G Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) электропитание 3В/3.3В 512Мбит 512M/256M/128M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin  | MX | 754 шт | 1 день |
| |||||||||||||
 | STM | 4582 шт Минимум: 6 | 1 день |
| |||||||||||||
 | WINBOND | 9269 шт Минимум: 9 | 1 день |
| |||||||||||||
 | STM | 606 шт Минимум: 6 | 3 дня |
|
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
