Микросхемы памяти купить оптом и в розницу в интернет-магазине Элрус, стр.3

Список Витрина

Сортировать:

по популярностипо именипо цене

M95010-RMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 1 K-бит (128 x 8), 10МГц, электропитание 1.8...5.5В -40°...+85°С

Наличие: 216 шт

UT62256CSCL-70LL

Статическое ОЗУ 32K x 8, питание 5В, 70нс

Наличие: 47 шт

KLMBG2JETD-B041

Флэш память типа eMMC 32GB

Наличие: 23 шт

24LC512-I/P

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 64Kx8

Наличие: 2230 шт

CY62167EV30LL-45ZXI

SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP

Наличие: 168 шт

M95160-RMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 5МГц 8SO

Наличие: 2476 шт

MT29F2G08ABAEAWP-IT:E

Флэш-память архитектура И-НЕ параллельная электропитание 3.3В 2Гбит 256M x 8 48-Pin TSOP-I лоток

Наличие: 1682 шт

AT24C128C-SSHM-T

Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 1МГц

Наличие: 1822 шт

W25Q128FVSIG/REEL

Флэш-память шина SPI 128Мбит, рекомендуемая замена W25Q128JVSIQ

Наличие: 7133 шт

S29AL008J70TFI010

Флэш-память 8Мбит 70нс 48TSOP

Наличие: 474 шт

FM25256-SO-T-G

микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM

Наличие: 30 шт

AT45DB321E-SHF-T

Флэш-память 32Мбит (528 Кб x 8192), 2,3...3,6В, 85МГц

Наличие: 8201 шт

MB85RS64PNF-G-JNERE1

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 20МГц 2,7-3.6В

Наличие: 17182 шт

MX30LF4G18AC-TI

Флэш-память 4Гбит архитектура И-НЕ 48TSOP

Наличие: 2024 шт

AT25DF321A-SH-T

Флэш-память шина SPI электропитание 3.3В 32Мбит 4M x 8 5нс 8-Pin SOIC EIAJ лента на катушке

Наличие: 4527 шт

P25Q32SH-SSH-IT

Флэш-память 32Mбит 120МГц 2.3...3.6В

Наличие: 11658 шт

M24C16-RMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 16K-бит 2K x 8 2.5В/3.3В/5В

Наличие: 13837 шт

W25Q32JVSSIQ

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 133 MHz SOIC-8

Наличие: 62432 шт

W25N01GVZEIG

Флэш-память архитектура И-НЕ параллельная (шины SPI, Dual SPI, Quad SPI) питание 3В/3.3В 1Г-бит 128Mx8 7нс 8-Pin WSON EP лоток

Наличие: 5377 шт

M93C86-WMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 2МГц электропитание 2.5:5.5В 8SO

Наличие: 9072 шт

Загрузить еще

Выводить по:

Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Ваше имя *
E-mail *
Количество
Доставка

Комментарий к заказу
Для получения счета на оплату прикрепите реквизиты

Микросхемы памяти, стр.3

Оформить заказ