Микросхемы памяти, стр.60
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Наименование | |
|---|---|
| Наименование | Производитель | Наличие | Срок | Цена с НДС | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MACRONIX | 93 шт | 3 дня |
| |||||||||||
| MACRONIX | 48 шт Минимум: 3 | 3 дня |
| |||||||||||
| GIGADEVICE | 5978 шт Минимум: 12 | 3 дня |
| |||||||||||
W25N01GVZEIG TR Флэш-памяит архитектура И-НЕ параллельная (шины SPI, Dual SPI, Quad SPI) питание 3В/3.3В 1Г-бит 128Mx8 7нс 8-Pin WSON EP лоток | WINBOND | 692 шт Минимум: 4 | 3 дня |
| |||||||||||
| ALLIANCE | 154 шт | 3 дня |
| |||||||||||
 | HGSEMI | 2397 шт Минимум: 19 | 1 день |
| |||||||||||
SST26VF016B-104I/SN Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шины (SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) питание 3В/3.3В 16M-бит 8нс 8-Pin SOIC N туба | MCHP | 1000 шт Минимум: 3 | 3 дня |
| |||||||||||
 | ZETTA | 3905 шт Минимум: 22 | 1 день |
| |||||||||||
| MICRON | 100 шт | 3 дня |
| |||||||||||
| WINBOND | 1899 шт Минимум: 3 | 3 дня |
|
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
