Микросхемы памяти, стр.5

Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

EPCQ64ASI16N, микросхема памяти, SRAM, 64 Мбит, 100 МГц, -40…+85 °С, 3.3 В, 100 мкА, корпус SOIC-16

EPCQ64ASI16N

Наличие: 52 шт

Память

S3A2K04V0M-AI1AT00

Наличие: 11 шт

Статическое ОЗУ 1Mбит 35нс 32SOP

IS62C1024AL-35QLI-TR

Наличие: 214 шт

Флэш-память шина SPI 64Мбит

APS6404L-3SQR-SN

Наличие: 475 шт

Память

MX25L3206EZUI-12G

Наличие: 225 шт

Микросхема, EEPROM, 4 V, 5.25 V

DS28EC20+T

Наличие: 89 шт

Память

ZDSD08GLGEAG

Наличие: 51 шт

Флэш-память 4Мбbn шина SPI 104МГц

P25Q40SH-SSH-IT

Наличие: 45849 шт

Статическое ОЗУ 4Mбит 10нс 44TSOP

IS61WV25616BLL-10TLI-TR

Наличие: 148 шт

энергонезависимая память емкостью 4 Кбит, использующая усовершенствованный сегнетоэлектри

24CL04B-G

Наличие: 30 шт

Память

MX25L25635EMI-12G

Наличие: 77 шт

Флэш-память шина SPI 256Mбит 133МГц 16SOIC

W25Q256JVFIQ

Наличие: 652 шт

Память

W25Q64JVZEIM/TRAY

Наличие: 343 шт

микросхема памяти, SRAM, SERIAL, 256KБ 2.7В SO8 23K256-I/SN

23K256T-I/SN

Наличие: 95 шт

Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В 1Гбит 128M x 8 25нс

MX30LF1G18AC-TI

Наличие: 101 шт

Выводить по:


AlfaSystems GoPro GP261D21