Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.5

Флэш-память шина SPI 128Мбит

W25Q128FVSIG

Наличие: 2243 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 4Mбит 85МГц 8SOIC

AT45DB041E-SHN-T

Наличие: 13681 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8

AT25640B-SSHL-T

Наличие: 3802 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4Мбит 55нс 44TSOP

FM22L16-55-TG

Наличие: 441 шт

Энергонезависимая память тип: EEPROM, интефейс: Serial, I2C; 16Kx8, 400kHz, 1.8...5.5V

CAT24C128WI-GT3

Наличие: 9921 шт

Флэш-память 4Mбит 70нс 32PLCC

MX29F040CQI-70G

Наличие: 370 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 10МГц 8SO

M95512-WMN6TP

Наличие: 9604 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 400КГц 8SO

M24C01-WMN6TP

Наличие: 1898 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 20МГц 8SOIC

AT25256B-SSHL-T

Наличие: 7290 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 4кбит 1МГц шина I2C 8SOIC

FM24C04B-GTR

Наличие: 10541 шт

Конфигурационная память 256Mбит 16SOIC

EPCQ256SI16N

Наличие: 23 шт

Флэш-память шина SPI, 2хSPI, 4хSPI питание 3....3.3В 256Мбит 32Mx8 6нс 8-Pin WSON EP

W25Q256JVEIQ/REEL

Наличие: 769 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 256Mбит 104МГц 8WSON

MX25L25635FZ2I-10G

Наличие: 131 шт

Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 400КГц электропитание 2,5...5,5В -40°...+85°C 8TSSOP

M24C04-WDW6TP

Наличие: 2700 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 64Мбит КМОП

MX25L6433FM2I-08Q

Наличие: 884 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 2K-бит 256 x 8 1.8В/2.5В/3.3В/5В

24AA02E48T-I/OT

Наличие: 8682 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ

FM31256-GTR

Наличие: 4470 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 32кбитх8 40МГц шина SPI электропитание 2В

FM25V02A-GTR

Наличие: 18037 шт

Энергонезависимое ППЗУ 8К-бит 20МГц 8SOIC

AT25080B-SSHL-T

Наличие: 572 шт

[SOP-16]; RS232 ICs ROH;=MAX232ESE(ADI)

MAX232ESE

Наличие: 180433 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21