Микросхемы памяти купить оптом и в розницу в интернет-магазине Элрус, стр.4

Список Витрина

Сортировать:

по популярностипо именипо цене

IS61WV102416BLL-10TLI

Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 16Мбит 1M x 16 10нс асинхронное

Наличие: 978 шт

M25P40-VMN6TPB

Флэш-память 4Mбит 75МГц 8SO

Наличие: 575 шт

W27C512-45Z

микросхема памяти PDIP28

Наличие: 270 шт

M95M02-DRMN6TP

микросхема памяти EEPROM serial SPI, 2Мбит 5МГц

Наличие: 5176 шт

W25X40CLSNIG

Память

Наличие: 23843 шт

ZD25Q64BSIGT

Флэш-память шина SPI 64Мбит, 104МГц, SOP-8

Наличие: 7365 шт

AT24C08C-SSHM-T

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 1Kx8

Наличие: 20648 шт

FM25L16B-GTR

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 20МГц 8SOIC

Наличие: 27391 шт

FM24V10-GTR

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC

Наличие: 2422 шт

M93C56-WMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 2МГц 8SO

Наличие: 1488 шт

FM24CL16B-GTR

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 1МГц SRL 8SOIC

Наличие: 30430 шт

FM25CL64B-GTR

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 20МГц шина SPI 8SOIC

Наличие: 38264 шт

M95040-WMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 10МГц 8SO

Наличие: 3503 шт

GD5F1GQ5UEYIGR

Флэш-память архитектура И-НЕ 1Гбит питание 3.3В -40°С..+85°С 133МГц WSON-8(8x6)

Наличие: 2122 шт

CAT24C256WI-GT3

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 400КГц 8SOIC

Наличие: 12966 шт

ZB25VQ128ASIG

Флэш-память 128 Мбит, питание 2.3-3.6В, SOP-8

Наличие: 1703 шт

EPCQ4ASI8N

Память конфигурационная 4Мб

Наличие: 216 шт

FM24W256-GTR

Сегнетоэлектрическое ОЗУ шина I2C 32Kx8 электропитание 5В

Наличие: 618 шт

AT45DB641E-SHN-T

Флэш-память 64Mбит 8SOIC

Наличие: 8115 шт

M24128-BRMN6TP

Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 400КГц 8SO

Наличие: 4993 шт

Загрузить еще

Выводить по:

Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Ваше имя *
E-mail *
Количество
Доставка

Комментарий к заказу
Для получения счета на оплату прикрепите реквизиты

Микросхемы памяти, стр.4

Оформить заказ