Микросхемы памяти, стр.2

Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Статическая память 4мБит 512K x 8, 10нс, 2.5-3.3В

IS61WV5128BLL-10TLI-TR

Наличие: 30 шт

Энергонезависимое ППЗУ 128K-бит 400кГц 8SOIC

24AA128-I/SN

Наличие: 17 шт

Динамическое ОЗУ DDR2 512Мбит 84-Pin VFBGA

W9751G6NB25I/REEL

Наличие: 170 шт

Магниторезистивное ОЗУ 16Мбит параллельный интерфейс питание 3.3В 54-Pin TSOP лента на катушке

MR4A16BCYS35R

Наличие: 3 шт

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 1МГц 8TSSOP

AT24C16C-XHM-T

Наличие: 101 шт

Память

ZDV4256M16A-13DPH

Наличие: 190 шт

IC SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP

CY62148EV30LL-45ZSXI

Наличие: 1348 шт

Флэш-память архитектура И-НЕ 1Гбит

MX35LF1GE4AB-Z4I TR

Наличие: 945 шт

микросхема памяти SRAM 128k x 8, 45нс

CY62128ELL-45SXI

Наличие: 70 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI) электропитание 1.8В/2.5В/3.3В 4Мбит 8-бит 7.5нс 8-Pin SOIC лента на катушке

AT25DF041B-SSHN-T

Наличие: 500 шт

64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY

FM25512-SO-T-G

Наличие: 64 шт

Энергонезависимое ППЗУ архитектура ИЛИ-НЕ 4M шина SPI 104МГц 8SOIC

W25X40CLSSIG TR

Наличие: 4185 шт

Память

MB85RC16PNF-G-JNERE1

Наличие: 1471 шт

Память

W972GG6KB-25

Наличие: 144 шт

Память

MX25L3233FM2I-08G

Наличие: 424 шт

Выводить по:


AlfaSystems GoPro GP261D21