Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.18

Флэш-память 16Mбит 85МГц 8SOIC

AT45DB161E-SSHF-T

Наличие: 785 шт

Флэш-память 8 Мбит(x 1/x 2) 86 МГц электропитание 3В индустриальная серия SOP-8

MX25L8006EM1I-12G T/R

Наличие: 2408 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3В/3.3В 128Мбит 128M/64M/32M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP

MX25L12835FM2I-10G T/R

Наличие: 2089 шт

Флэш-память 1Mбит 50МГц 8SO

M25P10-AVMN6TP

Наличие: 22 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 32Kx8

24LC256T-I/SN

Наличие: 11607 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 16Kx8

24LC128T-I/SN

Наличие: 2977 шт

Флэш-память 8Мбит 70нс 48TSOP

SST39VF800A-70-4I-EKE

Наличие: 8 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 3В 8Мбит -40°С...+85°С 8-Pin SOP (150mil) лента на катушке

GD25Q80ETIGR

Наличие: 3888 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1M-бит 20МГц 8SOIC

AT25M01-SSHM-T

Наличие: 277 шт

Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 400КГц 8TSSOP

M24C64-WDW6TP

Наличие: 5445 шт

ЭППЗУ 64-Кбит шина I2C питание 1,7.... 5,5В 1МГц -40....+85°С

P24C64C-TSH-MIR

Наличие: 56366 шт

Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 5МГц 8TSSOP

M95320-RDW6TP

Наличие: 582 шт

Флэш-память 1Гбит 48TSOP

MT29F1G08ABADAWP-IT:D

Наличие: 147 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 1.65...3.6В 4Мбит -40°С...+85°С 8-Pin SOP (150mil)

GD25WQ40ETIGR

Наличие: 5309 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 128x8

24LC01B-I/P

Наличие: 88 шт

Флэш-память 16Мб шина SPI 133МГц

P25Q16SH-SSH-IR

Наличие: 25691 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит шина I2C питание 1,7....5,5В 1МГц -40....+85°С

P24C512B-SSH-MIT

Наличие: 54928 шт

Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

BSS138NH6327XTSA2

Наличие: 52262 шт

Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 4Мбит 512К x 8 10нс асинхронное 36-Pin SOJ лента на катушке

CY7C1049GN30-10VXI

Наличие: 68 шт

Флэш-память архитектура И-НЕ 1Гбит электропитание 3В

MX30LF1GE8AB-TI

Наличие: 572 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21