Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.17

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 512x8 электропитание 2.5В, -40°...+85°С

M24C04-WBN6P

Наличие: 443 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI 64М-бит сектор 4кБ

W25Q64JWSSIQ/REEL

Наличие: 447 шт

Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 400КГц 8SO

M24C32-RMN6TP

Наличие: 10597 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 256M-бит 133МГц питание 3В SOP16

MX25L25645GMI-08G TR

Наличие: 409 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Mбит 85МГц 8SOIC

AT45DB161E-SSHD-T

Наличие: 1928 шт

Магниторезистивное ОЗУ 16Мбит параллельный интерфейс питание 3.3В 54-Pin TSOP лента на катушке

MR4A16BCYS35R

Наличие: 23 шт

SDRAM - динамическая память синхронная 4 банка x 2Мбит x 8 разрядов

HY57V64820HGT

Наличие: 3700 шт

IC SRAM 32K X 8 5.0V 28-SOJ

AS7C256A-15JIN

Наличие: 5 шт

64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY

FM25512-SO-T-G

Наличие: 64 шт

Флэш-память 64Mбит 108МГц VFQFPN

N25Q064A13EF640F

Наличие: 154 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина MICROWIRE 16Kх8/16-бит

93LC86CT-I/SN

Наличие: 1235 шт

Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8SO

M95640-WMN6P

Наличие: 33 шт

Флэш-память 8Мбит, низкое напряжение электропитания, постраничное стирание, шина SPI 50 МГц, стандартный вывод

M25PE80-VMW6TG

Наличие: 250 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 64Kx8

24LC512T-I/SM

Наличие: 5034 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Mбит 70нс 48TSOP

MX29LV160DBTI-70G

Наличие: 77 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц 8SOIC

AT24CM01-SSHM-T

Наличие: 2878 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит шина I2C питание 1,7....5,5В 1МГц -40....+85°С

P24C512B-SSH-MIR

Наличие: 31444 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 32KX8 электропитание 2.5В последовательная шина

25LC256-I/SN

Наличие: 1434 шт

Флэш-память 16Mбит 85МГц 8SOIC

AT45DB161E-SSHF-T

Наличие: 785 шт

Флэш-память 8 Мбит(x 1/x 2) 86 МГц электропитание 3В индустриальная серия SOP-8

MX25L8006EM1I-12G T/R

Наличие: 2408 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21