Микросхемы памяти купить оптом и в розницу в интернет-магазине Элрус, стр.16

Список Витрина

Сортировать:

по популярностипо именипо цене

CY62128EV30LL-45ZAXI

SRAM 1MBIT 45NS 32STSOP

Наличие: 20 шт

SST25VF010A-33-4C-SAE

Флэш-память 1Mбит 33МГц 8SOIC

Наличие: 481 шт

24AA025E48-I/SN

Энергонезависимое ППЗУ 2K-бит 400кГц 8SOIC

Наличие: 390 шт

P24C64C-SSH-MIR

ЭППЗУ 64-Кбит шина I2C питание 1,7.... 5,5В 1МГц -40....+85°С

Наличие: 10697 шт

23LC1024T-I/SN

Статическое ОЗУ 1Mбит 20МГц 8SOIC

Наличие: 334 шт

AT24C04M5/TR

Микросхема памяти EEPROM 4Кб (512 X 8), 2-Wire, 1.7:5.5В [SOT-23-5]

Наличие: 7849 шт

DS2430AP+T&R

Энергонезависимое ППЗУ 256-бит 6TSOC

Наличие: 376 шт

M3004LAB1

Энергонезависимая память

Наличие: 13 шт

24CL04B-G

энергонезависимая память емкостью 4 Кбит, использующая усовершенствованный сегнетоэлектри

Наличие: 30 шт

24LC256-I/P

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 32Kx8

Наличие: 1471 шт

24AA02T-I/OT

Энергонезависимое ППЗУ 2K-бит 400кГц SOT23-5

Наличие: 5800 шт

AT25SF161B-SSHB-T

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16 Мбит питание 3В (2.7....3.6В), -40°C....+85°C, шина SPI 2xSPI 4xSPI

Наличие: 5466 шт

SST25VF016B-50-4I-S2AF

Флэш-память 16Mбит 50МГц 8SOIC

Наличие: 1536 шт

MR25H40CDF

Магниторезистивное ОЗУ 4Мбит 40МГц 8DFN

Наличие: 212 шт

MT48LC16M16A2P-6A:G TR

Динамическое ОЗУ 256Мб 16Mх16, электропитание 3.3В, 7.5нс, 0...+70°С TSOP54

Наличие: 2003 шт

24LC01BT-I/OT

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 128x8

Наличие: 7110 шт

MT47H64M16NF-25E IT:M

DRAM DDR2 1G 64MX16 FBGA

Наличие: 2014 шт

IS61C25616AL-10TLI

Статическое ОЗУ питание 5В 4М-бит 256Kx16 10нс асинхронное

Наличие: 114 шт

MX29LV320ETTI-70G

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 32Mбит 70нс 48TSOP

Наличие: 251 шт

M24C08-WBN6P

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 1Kx8 электропитание 2.5В, -40°...+85°С

Наличие: 1145 шт

Загрузить еще

Выводить по:

Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Ваше имя *
E-mail *
Количество
Доставка

Комментарий к заказу
Для получения счета на оплату прикрепите реквизиты

Микросхемы памяти, стр.16

Оформить заказ