Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.15

Флэш-память 32Мбит 104МГц 8SO

S25FL032P0XMFI011

Наличие: 131 шт

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 10МГц 8SOIC

25LC160AT-I/SN

Наличие: 897 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 512x8

AT25040B-SSHL-T

Наличие: 530 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16кбит 20МГц шина SPI 8SOIC

FM25C160B-GTR

Наличие: 260 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256кбит 70нс 28SOIC

FM28V020-SGTR

Наличие: 420 шт

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 400КГц 8SOIC

24LC16BT-I/SN

Наличие: 15621 шт

LDO регулятор напряжения 12В 0,1А SOT-89

LM78L12F

Наличие: 2700 шт

Флэш-память шина SPI 4Мбит. рекомендуемая замена W25X40CLSNIG

W25Q40BVSNIG

Наличие: 32 шт

память SRAM 128K x 8, 2.7... 5.5В, 55нс

AS6C1008-55PCN

Наличие: 24 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 10МГц 8SO

M95020-WMN6TP

Наличие: 3275 шт

Флэш-память 128Мбит 104МГц 16SO

S25FL128P0XMFI000

Наличие: 17 шт

Флэш-память 16-Mбит 75 МГц шина SPI

M45PE16-VMW6TG

Наличие: 451 шт

Память

ZD24C32A-SSGMB

Наличие: 6285 шт

ЭППЗУ 256-Кбит шина I2C питание 1,7.... 5,5В 1МГц -40....+85°С

P24C256B-SSH-MIR

Наличие: 42480 шт

Флэш-память шина SPI 128Мбит

W25Q128JVFIQ/REEL

Наличие: 1731 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP

MX25L3233FM2I-08G T/R

Наличие: 4768 шт

Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 4Мбит 256К x 16 10нс асинхронное 44-Pin TSOP лоток

CY7C1041GN30-10ZSXI

Наличие: 83 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит 10МГц 8SO

M95010-WMN6TP

Наличие: 2046 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 2МГц 8SO

M93S56-WMN6TP

Наличие: 508 шт

SRAM 1MBIT 45NS 32STSOP

CY62128EV30LL-45ZAXI

Наличие: 20 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21