Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.12

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8SOIC

AT24C512C-SSHM-T

Наличие: 7577 шт

IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOIC

CY62148ELL-55SXIT

Наличие: 412 шт

FM25Q64-SOB-T-G

FM25Q64-SOB-T-G

Наличие: 90 шт

ЭППЗУ 16-Кбит шина I2C питание 1,7.... 5,5В 1МГц -40....+85°С

P24C16C-SSH-MIR

Наличие: 48178 шт

Флэш-память шина SPI электропитание 3.3В 32Мбит 8нс

AT25SF321-SSHD-T

Наличие: 174 шт

SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns

IS61LV6416-10TL

Наличие: 11 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 1МГц 8TSSOP

AT24C256C-XHL-T

Наличие: 7164 шт

Энергонезависимое ППЗУ последовательная шина электропитание 2,5В 2Кx8 DIP8

24LC16B-I/P

Наличие: 835 шт

Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 400КГц SOT23-5

24AA04T-I/OT

Наличие: 688 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64Mбит 70нс 48TSOP

MX29LV640EBTI-70G

Наличие: 147 шт

Флэш-память 1Mбит 70нс 32DIP

SST39SF010A-70-4C-PHE

Наличие: 552 шт

Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8TSSOP

M95640-WDW6TP

Наличие: 606 шт

Микросхема, EEPROM, 4 V, 5.25 V

DS28EC20+T

Наличие: 338 шт

Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 2МГц 8SOIC

AT93C66B-SSHM-T

Наличие: 3266 шт

DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA

MT41K256M16TW-107 IT:P

Наличие: 1224 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 256x8

AT24C02BN-SH-T

Наличие: 26 шт

ОЗУ статически-динамическое 256Мбит 16Mx16 питание 3.3В 54-Pin TSOP-II лоток

AS4C16M16SA-6TIN

Наличие: 775 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит шина I2C

P24C512B-TSH-MIR

Наличие: 52646 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 4Kx8

AT24C32D-SSHM-T

Наличие: 13957 шт

IC SILICON SERIAL NUMBER SOT-223

DS2401Z+T&R

Наличие: 446 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21