Производитель Mitsubishi Electric

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 20А 150Вт 30МГц Tch=175°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 4А 48Вт 175МГц Tch=150°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 30МГц Tch=150°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 7А 75Вт 175МГц Tch=175°C (Recommended replacement: RD35HUP2)

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 3А 27,8Вт 175МГц Tch=150°C

ШИМ-контроллер со встроенным ключом

Контроллер громкости с регулировкой тембра, 6 каналов

Биполярный транзистор IGBT, 100 А, 1200 В

микроконтроллер 128kOTP 10kRAM 0.65mm

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 30В 3А 50Вт 520МГц Tch=150°C

микроконтроллер 0kROM 10kRAM 0.5 mm

микроконтроллер 48kROM 2kRAM flashDIP

микроконтроллер 128кROM 10кRAM QFP.65

Матрица TFT 12.3" IPS, 1920x728, 1 канал LVDS, 1000 Кд/м2, 85/85/85/85, -40°...+85°C

Биполярный транзистор IGBT, 150 А, 1700 В

микроконтроллер 128kOTP 10kRAM 0.5 mm

микроконтроллер 128кROM 10кRAM LQFP.5

микроконтроллер 256кROM 20кRAM LQFP.5

Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1.5 А, 0.9 Вт

Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 7.2 В 1 Вт 520МГц Tch=150°C

IGBT модуль

ЖК экран 6.5 inch, 640x480, 1300 nit, 600:1, CMOS, тем -30/+80C,TN, angle 8

MIT

Средство разработки NUCLEO-CON-V33 MIT

ЖК экран 10.4 inch, 640x480, 1500 nit, 700:1, TN, angle 70/70/65/65, interf

Средство разработки IR-CONTROLLER MIT

(ZBD) MIT

Датчик температуры MIT

ЖК экран MIT

ЖК экран MIT