SIS412DN-T1-GE3

* Изображения служат только для ознакомления

SIS412DN-T1-GE3 | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 5182435

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

VISHAY

9766 шт

Минимум: 23

3 дня
От 188312,10 ₽
От 94212,31 ₽
От 47113,39 ₽
От 23614,69 ₽
От 116,27 ₽
-шт+

Данные обновлены 15.07.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12А 15.6Вт
    Производитель
    VISHAY
    Корпус
    PowerPAK-1212-8
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    30 V
    Максимальный ток
    12 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    10 W
    Монтаж
    SMD/SMT
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    24 mOhms
    Qg - заряд затвора
    8 nC
    Вес
    0.1000 грамм
  • Документация SIS412DN-T1-GE3datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21