SI2319CDS-T1-GE3

* Изображения служат только для ознакомления

SI2319CDS-T1-GE3 | Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1997337

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

VISHAY

8891 шт

Минимум: 15

3 дня
От 125119,31 ₽
От 62619,61 ₽
От 31321,46 ₽
От 15723,26 ₽
От 125,49 ₽
-шт+

Данные обновлены 10.07.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 4.4А 2.5Вт
    Корпус
    SOT-23-3
    Структура транзистора
    P-Channel
    Напряжение, В
    40 V
    Максимальный ток
    4.4 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    2.5 W
    Монтаж
    SMD/SMT
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    77 mOhms
    Qg - заряд затвора
    21 nC
    Вес
    0.0400 грамм
  • Документация SI2319CDS-T1-GE3datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21