SI2312BDS-T1-E3

* Изображения служат только для ознакомления

SI2312BDS-T1-E3 | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A

Обновляем информацию по складам...
ID: 1457357

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

VISHAY

5778 шт

Минимум: 12

3 дня
От 30525,34 ₽
От 15326,93 ₽
От 7728,37 ₽
От 3929,59 ₽
От 130,60 ₽
-шт+

VISHAY

1800 шт

Кратность: 50

Минимум: 100

3 дня
От 119,40 ₽
-шт+

Данные обновлены 10.09.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.9A
    Производитель
    VISHAY
    Корпус
    SOT-23-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    20 V
    Максимальный ток
    5 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    1.25 W
    Монтаж
    SMD/SMT
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    31 mOhms
    Qg - заряд затвора
    12 nC
    Тип
    MOSFET
    Вес
    0.0400 грамм
  • Документация SI2312BDS-T1-E3datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21