* Изображения служат только для ознакомления

RD35HUP2-501 | Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C

Обновляем информацию по складам...
ID: 2337922

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

Производитель Наличие / Срок Цена с НДС Заказать

MIT

Код: 355897-5

15 шт / 3 дня

От 6 1 327 ₽
От 4 1 342 ₽
От 3 1 380 ₽
От 2 1 431 ₽
От 1 1 485 ₽
- шт +

Данные обновлены 08.09.2024

  • Производитель
    Mitsubishi / MIT
    Описание
    Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
    Корпус
    Ceramic
    Упаковка
    Tape and Reel (лента в катушке)
    Вес
    0.0500 г.
    Размер фабричной упаковки
    15
  • Транзисторы / Полевые транзисторы / Радиочастотные (RF FET) транзисторы. Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 40В 10А 166Вт 530МГц Tch=175°C
  • Документация RD35HUP2-501 datasheet.pdf

x

Хиты продаж

IRF2907ZPBF

IRF2907ZPBF

( Infineon / IR , Infineon )

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75А 330Вт

IRFP064NPBF

IRFP064NPBF

( Infineon )

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт, 0.008 Ом

IRFB4110PBF

IRFB4110PBF

( Infineon Technologies , JSMICRO )

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт

300 шт. на складе

IRFP4668PBF

IRFP4668PBF

( Infineon Technologies , INFINEON , Infineon )

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 520Вт

2SK2267

2SK2267

( Toshiba )

Полевой транзистор

31 шт. на складе

Просмотренные товары

RD35HUP2-501
RD35HUP2-501

( Mitsubishi , MIT )



AlfaSystems GoPro GP261D21