MMBF170LT1G

* Изображения служат только для ознакомления

MMBF170LT1G | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1993111
Для заказа доступно несколько партий MMBF170LT1G.
Выбирайте оптимальный вариант по цене и сроку.

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

VBSEMI

6796 шт

Минимум: 50

1 день
От 60003,24 ₽
От 15003,47 ₽
От 3003,96 ₽
От 14,16 ₽
-шт+

ONS

27724 шт

Минимум: 53

3 дня
От 60008,50 ₽
От 30008,71 ₽
От 12599,36 ₽
От 63010,08 ₽
От 111,23 ₽
-шт+

Данные обновлены 15.03.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
    Корпус
    SOT-23-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    60 V
    Максимальный ток
    500 mA
    Максимальная рассеиваемая мощность
    225 mW
    Монтаж
    SMD/SMT
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    5 Ohms
    Qg - заряд затвора
    -
    Вес
    0.042 грамм
  • Документация MMBF170LT1Gdatasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21