* Изображения служат только для ознакомления
IRFP4668PBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 520Вт
Обновляем информацию по складам...
ID: 1988373
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Производитель Infineon Technologies / INFINEONОписание Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 130А 520ВтКорпус TO-247Структура транзистора N-канальныйНапряжение, В 200Максимальный ток Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 130 AМаксимальная рассеиваемая мощность 520Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) - 9,7 мОмМощность рассеиваемая (Pd) - 520 ВтТип MOSFETДиапазон рабочих температур -55…+175 °СНапряжение пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 ВСпособ монтажа Through HoleВремя задержки включения/ выключения - 105/ 74 нсТок утечки непрерывный (Id) - 130 АМаксимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 30 ВЗаряд затвора (Qg) - 241 нКлУпаковка TUBE, 25 шт.Вес 7.0400 г.Размер фабричной упаковки 25 - Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 130 А, 520 Вт
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|