IRFBG30PBF

* Изображения служат только для ознакомления

IRFBG30PBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом

Обновляем информацию по складам...
ID: 1927222
Для заказа доступно несколько партий IRFBG30PBF.
Выбирайте оптимальный вариант по цене и сроку.

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

TOKMAS

2519 шт

Минимум: 5

1 день
От 140,70 ₽
-шт+

VISHAY

5743 шт

Минимум: 5

3 дня
От 15068 ₽
От 5071 ₽
От 3174 ₽
От 1676 ₽
От 177 ₽
-шт+

VISHAY

1975 шт

Кратность: 10

Минимум: 20

3 дня
От 176 ₽
-шт+

VISHAY

2149 шт

Минимум: 7

3-4 дня
От 1145 ₽
-шт+

INFINEON

430 шт

Минимум: 5

2 дня
От 14072 ₽
От 8077 ₽
От 2083 ₽
От 1144 ₽
-шт+

VISHAY

1300 шт

Минимум: 3

2 дня
От 1054,06 ₽
От 154,70 ₽
-шт+

Данные обновлены 03.09.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 3.1А 125Вт, 5 Ом
    Производитель
    TOKMAS / VISHAY / INFINEON
    Корпус
    TO-220AB
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    1 kV
    Максимальный ток
    Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 3.1 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    125 W
    Монтаж
    Through Hole
    Количество каналов
    1 Channel
    Сопротивление
    сток-исток открытого транзистора (Rds) - 5 мОм
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    5 Ohms
    Qg - заряд затвора
    80 nC
    Тип
    MOSFET
    Вес
    2.850 грамм
  • Документация IRFBG30PBFdatasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21