IRFBE30PBF

* Изображения служат только для ознакомления

IRFBE30PBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом

Обновляем информацию по складам...
ID: 1927220
Для заказа доступно несколько партий IRFBE30PBF.
Выбирайте оптимальный вариант по цене и сроку.

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

VISHAY

1350 шт

Минимум: 4

3 дня
От 20097 ₽
От 100102 ₽
От 50108 ₽
От 1115 ₽
-шт+

VISHAY

1200 шт

Минимум: 3

2 дня
От 191 ₽
-шт+

Данные обновлены 08.07.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
    Корпус
    TO-220AB-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    800 V
    Максимальный ток
    4.1 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    125 W
    Монтаж
    Through Hole
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    3 Ohms
    Qg - заряд затвора
    78 nC
    Вес
    2.7600 грамм
  • Документация IRFBE30PBFdatasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21