* Изображения служат только для ознакомления
IRFB4110PBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370Вт
Обновляем информацию по складам...
ID: 1927188
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Производитель Infineon Technologies / JSMICROОписание Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120А 370ВтКорпус TO-220Структура транзистора N-ChannelНапряжение, В 100 VМаксимальный ток 180 AМаксимальная рассеиваемая мощность 370 WМонтаж Through HoleКоличество каналов 1 ChannelМаксимальная рабочая температура + 175 CМинимальная рабочая температура - 55 CVgs - напряжение затвор-исток 1.8 VТехнология Транзистора SiСопротивление сток-исток 3.7 mOhmsQg - заряд затвора 150 nCМощность рассеиваемая (Pd) - 370 ВтТип MOSFETДиапазон рабочих температур -55…+175 °СНапряжение пороговое затвора (Vgs th) - 4ВСпособ монтажа Through HoleMSL(Уровень чувствительности к влажности) 1Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 ВУпаковка TUBE, 50 шт.Вес 2.9400 г.Размер фабричной упаковки 50 - Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 120 А, 370 Вт
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|