* Изображения служат только для ознакомления

IRF8010PBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом

Обновляем информацию по складам...
ID: 1988140

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

  • Производитель
    Infineon / IR / Infineon
    Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80А 260Вт, 0.015 Ом
    Корпус
    TO-220-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    100 V
    Максимальный ток
    80 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    260 W
    Монтаж
    Through Hole
    Количество каналов
    1 Channel
    Максимальная рабочая температура
    + 175 C
    Минимальная рабочая температура
    - 55 C
    Vgs - напряжение затвор-исток
    1.8 V
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    15 mOhms
    Qg - заряд затвора
    81 nC
    Упаковка
    Tube
    Вес
    2.6900 г.
    Размер фабричной упаковки
    50
  • Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А, 260 Вт, 0.015 Ом
  • Документация IRF8010PBF datasheet.pdf

x
Загружается...


AlfaSystems GoPro GP261D21