* Изображения служат только для ознакомления
IRF640NPBF | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 Ом
Обновляем информацию по складам...
ID: 1927097
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Производитель Infineon TechnologiesОписание Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт, 0.15 ОмКорпус TO-220Структура транзистора N-ChannelНапряжение, В 200 VМаксимальный ток Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 18 AМаксимальная рассеиваемая мощность 150 WМонтаж Through HoleКоличество каналов 1 ChannelМаксимальная рабочая температура + 175 CМинимальная рабочая температура - 55 CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) - 150 мОмVgs - напряжение затвор-исток 2 VТехнология Транзистора SiСопротивление сток-исток 150 mOhmsQg - заряд затвора 44.7 nCМощность рассеиваемая (Pd) - 130 ВтТип MOSFETДиапазон рабочих температур -55…+175 °СНапряжение пороговое затвора (Vgs th) - 2ВСпособ монтажа Through HoleMSL(Уровень чувствительности к влажности) 1.0Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ± 20 ВЗаряд затвора (Qg) - 67 нКлУпаковка TUBE, 50 шт.Вес 2.7200 г.Размер фабричной упаковки 1000 - Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 18 А, 150 Вт, 0.15 Ом
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|