IPD122N10N3GATMA1

* Изображения служат только для ознакомления

IPD122N10N3GATMA1 | Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK

Обновляем информацию по складам...
ID: 1430252

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

INFINEON

131 шт

Минимум: 5

3 дня
От 7667 ₽
От 3872 ₽
От 1975 ₽
От 1077 ₽
От 179 ₽
-шт+

INFINEON

2280 шт

Кратность: 10

Минимум: 20

3 дня
От 193 ₽
-шт+

Данные обновлены 18.07.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный силовой 100В 12.2мОм 26нКл серия OPTIMOS DPAK
    Производитель
    INFINEON
    Корпус
    TO-252 (DPAK)
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    100 V
    Максимальный ток
    59 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    94 W
    Монтаж
    SMD/SMT
    Количество каналов
    1 Channel
    Сопротивление
    сток-исток открытого транзистора (Rds) - 12,2 мОм
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    12.2 mOhms
    Qg - заряд затвора
    26 nC
    Тип
    MOSFET
    Вес
    0.5500 грамм
  • Документация IPD122N10N3GATMA1datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21