FQD19N10LTM

* Изображения служат только для ознакомления

FQD19N10LTM | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A

Обновляем информацию по складам...
ID: 1425517

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

ONS

201 шт

Минимум: 5

3 дня
От 20055,46 ₽
От 10058,27 ₽
От 5062 ₽
От 2567 ₽
От 172 ₽
-шт+

Данные обновлены 09.07.2025

  • Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
    Корпус
    TO-252-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    100 V
    Максимальный ток
    15.6 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    2.5 W
    Монтаж
    SMD/SMT
    Количество каналов
    1 Channel
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    100 mOhms
    Qg - заряд затвора
    18 nC
    Вес
    0.4700 грамм
  • Документация FQD19N10LTMdatasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21