|  MMBFJ202 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 876 шт Минимум: 19 | 3 дня | | От 279 | 14,76 ₽ | | От 140 | 16,06 ₽ | | От 70 | 17,42 ₽ | | От 35 | 18,50 ₽ | | От 1 | 19,37 ₽ |
|
|  MMBFJ201 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 10188 шт Минимум: 22 | 3 дня | | От 1515 | 12,46 ₽ | | От 758 | 12,60 ₽ | | От 379 | 13,68 ₽ | | От 190 | 14,98 ₽ | | От 1 | 16,56 ₽ |
|
|  MMBFJ177LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт
| ON SEMICONDUCTOR | 16490 шт Минимум: 25 | 3 дня | | От 1678 | 11,02 ₽ | | От 839 | 11,16 ₽ | | От 420 | 12,17 ₽ | | От 210 | 13,32 ₽ | | От 1 | 14,83 ₽ |
|
|
| HOTTECH | 11114 шт Минимум: 21 | 4 дня | |
|  MMBFJ176 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 934 шт Минимум: 10 | 3 дня | | От 421 | 28,01 ₽ | | От 211 | 29,52 ₽ | | От 106 | 31,54 ₽ | | От 53 | 34,13 ₽ | | От 1 | 37,37 ₽ |
|
|  MMBFJ175LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 1587 шт Минимум: 17 | 3 дня | | От 687 | 15,91 ₽ | | От 344 | 16,92 ₽ | | От 172 | 18,29 ₽ | | От 86 | 20,09 ₽ | | От 1 | 22,25 ₽ |
|
|  MMBFJ113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 3521 шт Минимум: 21 | 3 дня | | От 853 | 12,38 ₽ | | От 427 | 13,25 ₽ | | От 214 | 14,40 ₽ | | От 107 | 15,91 ₽ | | От 1 | 17,71 ₽ |
|
|  MMBFJ112 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 8372 шт Минимум: 24 | 3 дня | | От 1636 | 11,38 ₽ | | От 818 | 11,52 ₽ | | От 409 | 12,53 ₽ | | От 205 | 13,75 ₽ | | От 1 | 15,26 ₽ |
|
|  MMBF5457 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 616 шт Минимум: 13 | 3 дня | | От 533 | 21,38 ₽ | | От 267 | 22,61 ₽ | | От 134 | 24,26 ₽ | | От 67 | 26,50 ₽ | | От 1 | 29,16 ₽ |
|
|  MMBF4393LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 5165 шт Минимум: 23 | 3 дня | | От 928 | 11,23 ₽ | | От 464 | 12,02 ₽ | | От 232 | 13,10 ₽ | | От 116 | 14,54 ₽ | | От 1 | 16,27 ₽ |
|
|  MMBF4392LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
| ON SEMICONDUCTOR | 2409 шт Минимум: 21 | 3 дня | | От 304 | 13,54 ₽ | | От 152 | 14,76 ₽ | | От 76 | 16,06 ₽ | | От 38 | 17,06 ₽ | | От 1 | 17,93 ₽ |
|
|  MMBF4391LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
| ON SEMICONDUCTOR | 746 шт Минимум: 22 | 3 дня | | От 325 | 12,31 ₽ | | От 163 | 13,39 ₽ | | От 82 | 14,62 ₽ | | От 41 | 15,62 ₽ | | От 1 | 16,42 ₽ |
|
|  MMBF170LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.5A, 0.225Вт
| VBSEMI | 2518 шт Минимум: 30 | 1 день | |
VBSEMI | 9000 шт Минимум: 302 | Поступит 25.12.2025 | |
ON SEMICONDUCTOR | 20715 шт Минимум: 41 | 3 дня | | От 566 | 6,19 ₽ | | От 283 | 6,84 ₽ | | От 142 | 7,56 ₽ | | От 71 | 8,21 ₽ | | От 1 | 8,78 ₽ |
|
|
| TECH PUBLIC | 14272 шт Минимум: 169 | 4 дня | |
SHIKUES | 14899 шт Минимум: 55 | 1 день | |
HOTTECH | 889 шт Минимум: 140 | 4 дня | |
|
| ON SEMICONDUCTOR | 412 шт Минимум: 93 | 3 дня | | От 313 | 2,81 ₽ | | От 157 | 3,10 ₽ | | От 97 | 3,46 ₽ | | От 1 | 3,89 ₽ |
|
|  MJD31CQ NPN силовой транзистор, 100В, 3А, 1.6Вт (TO-252)
| YJ | 2300 шт Минимум: 10 | 3 дня | | От 400 | 14,38 ₽ | | От 100 | 14,45 ₽ | | От 1 | 16,51 ₽ |
|
|
| YJ | 10 шт | 1 день | |
YANGJIE | 16 шт | 3 дня | | От 5 | 5 411 ₽ | | От 4 | 5 519 ₽ | | От 3 | 5 596 ₽ | | От 2 | 5 655 ₽ | | От 1 | 5 704 ₽ |
|
|  MDD3752RH Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 43А 50Вт
| MAP | 457 шт Минимум: 10 | 3 дня | | От 200 | 28,37 ₽ | | От 100 | 29,95 ₽ | | От 40 | 31,68 ₽ | | От 20 | 33,98 ₽ | | От 1 | 36,50 ₽ |
|
|  MDD1903RH Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.8А 36Вт
| MAP | 7 шт Минимум: 4 | 3 дня | |
|  MDD1752 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 8.0 mOhm
| MAP | 258 шт Минимум: 6 | 3 дня | | От 100 | 56,02 ₽ | | От 44 | 58,61 ₽ | | От 22 | 61 ₽ | | От 11 | 65 ₽ | | От 1 | 69 ₽ |
|
