* Изображения служат только для ознакомления

SPP11N80C3XKSA1 | Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A

Обновляем информацию по складам...
ID: 1460365

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

  • Производитель
    Infineon
    Описание
    Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 11A
    Корпус
    TO-220-3
    Структура транзистора
    N-Channel
    Напряжение, В
    800 V
    Максимальный ток
    11 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    156 W
    Монтаж
    Through Hole
    Количество каналов
    1 Channel
    Максимальная рабочая температура
    + 150 C
    Минимальная рабочая температура
    - 55 C
    Vgs - напряжение затвор-исток
    2.1 V
    Технология Транзистора
    Si
    Сопротивление сток-исток
    390 mOhms
    Qg - заряд затвора
    85 nC
    Упаковка
    Tube
    Вес
    2.9700 г.
    Размер фабричной упаковки
    50
  • Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы. Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 11 А
  • Документация SPP11N80C3XKSA1 datasheet.pdf

x
Загружается...


AlfaSystems GoPro GP261D21