* Изображения служат только для ознакомления

IRGP4650DPBF | Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1966451

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

  • Производитель
    Infineon
    Серия
    Thyristor/Diode Module
    Описание
    Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
    Корпус
    TO-247AC-3
    Напряжение, В
    600
    Максимальный ток
    76 A
    Максимальная рассеиваемая мощность
    268 W
    Монтаж
    Through Hole
    Максимальная рабочая температура
    + 175 C
    Минимальная рабочая температура
    - 55 C
    Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
    1.6 V
    Максимальное напряжение затвор-эмиттер
    20 V
    Упаковка
    Tube
    Вес
    7.5700 г.
    Размер фабричной упаковки
    25
  • Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы. Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 76 А, 268 Вт
  • Документация IRGP4650DPBF datasheet.pdf

x
Загружается...


AlfaSystems GoPro GP261D21