* Изображения служат только для ознакомления
IKW50N60TFKSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
Обновляем информацию по складам...
ID: 1429826
Товар отсутствует на складе
Отправьте заявку на zakaz@elrus.ru
В письме укажите наименование и количество товара, а также данные о себе:
имя, телефон, способ доставки и реквизиты организации.
Отправьте заявку на zakaz@elrus.ru
В письме укажите наименование и количество товара, а также данные о себе:
имя, телефон, способ доставки и реквизиты организации.
-
Производитель InfineonСерия Trenchstop IGBT3Описание Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 ВтКорпус TO-247-3Напряжение, В 600Максимальный ток 80 AМаксимальная рассеиваемая мощность 333 WМонтаж Through HoleМаксимальная рабочая температура + 175 CМинимальная рабочая температура - 40 CМаксимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер 20 VУпаковка TubeВес 7.9300 г.Размер фабричной упаковки 30 - Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы. Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 333 Вт
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|