* Изображения служат только для ознакомления
IKW15N120H3FKSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
Обновляем информацию по складам...
ID: 1987699
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Производитель InfineonСерия Trenchstop IGBT4Описание Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 ВтКорпус TO-247-3Напряжение, В 1200Максимальный ток 30 AМаксимальная рассеиваемая мощность 217 WМонтаж Through HoleМаксимальная рабочая температура + 175 CМинимальная рабочая температура - 40 CМаксимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.05 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер 20 VУпаковка TubeВес 8.3700 г.Размер фабричной упаковки 30 - Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы. Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 217 Вт
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|