* Изображения служат только для ознакомления
FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Обновляем информацию по складам...
Данные обновлены 07.11.2025
Описание Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 ВтКорпус 34 mmМаксимальный ток 150Максимальная рассеиваемая мощность 790Вес 182.2000 грамм
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
