* Изображения служат только для ознакомления
FGH40N60SMD | Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
Обновляем информацию по складам...
ID: 1986445
Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой
-
Производитель ON Semiconductor / FAIR/ONSСерия FGH40N60SMDОписание Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 ВтКорпус TO-247Напряжение, В 600Максимальный ток 80 AМаксимальная рассеиваемая мощность 349 WМонтаж Through HoleМаксимальная рабочая температура + 150 CМинимальная рабочая температура - 55 CМаксимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 VТип IGBT транзистор 600В, 80АУпаковка TUBE, 30 шт.Вес 7.5600 г.Размер фабричной упаковки 30 - Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы. Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 40 А, 290 Вт
x
| Товар добавлен в корзину | ||
|
|
Оформить заказ
Продолжить покупки |
|