FF150R12RT4HOSA1

* Изображения служат только для ознакомления

FF150R12RT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1850825

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

INFINEON

232 шт

3 дня
От 26 842 ₽
От 17 059 ₽
-шт+

Данные обновлены 02.09.2025

  • Описание
    Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
    Производитель
    INFINEON
    Корпус
    34 mm
    Максимальный ток
    150
    Максимальная рассеиваемая мощность
    790
    Вес
    182.2000 грамм
  • Документация FF150R12RT4HOSA1datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21