* Изображения служат только для ознакомления

FF150R12RT4HOSA1 | Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1850825

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

  • Производитель
    Infineon
    Описание
    Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
    Корпус
    34 mm
    Максимальный ток
    150
    Максимальная рассеиваемая мощность
    790
    Упаковка
    Tray (палетта)
    Вес
    182.2000 г.
    Размер фабричной упаковки
    10
  • Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Силовые модули IGBT. Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
  • Документация FF150R12RT4HOSA1 datasheet.pdf

x
Загружается...


AlfaSystems GoPro GP261D21