MJD112T4

* Изображения служат только для ознакомления

MJD112T4 | Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1993018

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

STM

597 шт

Минимум: 6

3 дня
От 22252,63 ₽
От 11154,94 ₽
От 5657,96 ₽
От 2862 ₽
От 167 ₽
-шт+

STM

2150 шт

Кратность: 25

Минимум: 50

3 дня
От 131,94 ₽
-шт+

Данные обновлены 28.08.2025

  • Описание
    Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
    Производитель
    STM
    Корпус
    TO252
    Структура транзистора
    NPN
    Напряжение, В
    100
    Максимальная рассеиваемая мощность
    20
    Вес
    0.5400 грамм
  • Документация MJD112T4datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21