MJD112T4

* Изображения служат только для ознакомления

MJD112T4 | Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт

Обновляем информацию по складам...
ID: 1993018

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

STM

607 шт

Минимум: 6

3 дня
От 22250,26 ₽
От 11152,89 ₽
От 5656,74 ₽
От 2861 ₽
От 166 ₽
-шт+

STM

2250 шт

Кратность: 25

Минимум: 50

3 дня
От 131,94 ₽
-шт+

Данные обновлены 04.07.2025

  • Описание
    Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 Вт
    Корпус
    TO252
    Структура транзистора
    NPN
    Напряжение, В
    100
    Максимальная рассеиваемая мощность
    20
    Вес
    0.5400 грамм
  • Документация MJD112T4datasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21