Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.8

Конфигурационная память 512Кбит Altera

AT17LV512A-10PU

Наличие: 212 шт

Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 150нсек 28DIP

AT28C64B-15PU

Наличие: 1073 шт

Статическое ОЗУ питание 3.3В 8М-бит 512Kx16 55нс асинхронное

IS62WV51216BLL-55TLI

Наличие: 2973 шт

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 400КГц SOT23-5

24LC16BT-I/OT

Наличие: 3501 шт

Энергонезависимое ППЗУ I2CB 4K электропитание 2.5В

M24C04-RMN6TP

Наличие: 54153 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64Kбит 1МГц 8SOIC

FM24C64B-GTR

Наличие: 8234 шт

Динамическое ОЗУ DDR2 2Гбит 128Mx16 1.8В 84-Pin FBGA лоток

MT47H128M16RT-25E:C

Наличие: 454 шт

Статическая память 4мБит 512K x 8, 10нс, 2.5-3.3В

IS61WV5128BLL-10TLI

Наличие: 81 шт

Энергонезависимое ППЗУ 32К-бит 400КГц 8SO

M24C32-RMN6P

Наличие: 164 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 512x8

AT24C04C-SSHM-T

Наличие: 20852 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц 8SO

M24C02-RMN6TP

Наличие: 35741 шт

Динамическое ОЗУ 256Мб 4Mx16x4 банка 167МГц 3,3В

MT48LC16M16A2P-6AIT:GTR

Наличие: 3276 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 60нсек 32TSOP

FM28V100-TGTR

Наличие: 1802 шт

Флэш-память 128 Мбит 50Мгц многоуровневая низковольтная

M25P128-VMF6TPB

Наличие: 629 шт

Флэш-память архитектура И-НЕ электропитание 3В/3.3В 2Гбит 256M x 8 20нс

S34ML02G100TFI000

Наличие: 949 шт

ЭППЗУ 1 Mбит (128K x 8) электропитание 5.5В шина SPI для поверхностного монтажа SOIJ-8

25AA1024T-I/SM

Наличие: 28 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1К-бит TO92-3

DS2431+

Наличие: 956 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 1МГц 8SOIC

AT24C02D-SSHM-T

Наличие: 9055 шт

IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP

AS7C34098A-10TIN

Наличие: 720 шт

Флэш-память 16Мб шина SPI 133МГц

P25Q16SH-UXH-IR

Наличие: 5078 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21