Микросхемы памяти, стр.55
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Наименование | |
|---|---|
| Наименование | Производитель | Наличие | Срок | Цена с НДС | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZETTA | 289 шт | 1 день |
| |||||||||||
 | ISSI | 352 шт Минимум: 3 | 3 дня |
| |||||||||||
GD25Q32ESIGR Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP  | GIGADEVICE | 2299 шт Минимум: 11 | 3 дня |
| |||||||||||
 | MCHP | 813 шт Минимум: 15 | 3 дня |
| |||||||||||
 | MICRON | 377 шт Минимум: 2 | 3 дня |
| |||||||||||
 | INFINEON | 30 шт | 3 дня |
| |||||||||||
| INFINEON | 48 шт | 3 дня |
| |||||||||||
 | HTC TAEJIN | 2000 шт | 2 дня |
| |||||||||||
| SAMSUNG | 5 шт | 1 день |
| |||||||||||
 | NETSOL | 51 шт | 1 день |
|
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
