Микросхемы памяти, стр.50
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Наименование | |
|---|---|
| Наименование | Производитель | Наличие | Срок | Цена с НДС | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NEX-NXP | 100 шт | 2 дня |
| |||||||||||
 | EVERSPIN | 82 шт | 3 дня |
| |||||||||||
 | MCHP | 472 шт Минимум: 13 | 3 дня |
| |||||||||||
IS42S16400J-7TLI-TR IS42S16400J-7TLI-TR, Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc, 64Мбит (4Mx16), 5.4нс, 143 МГц, параллельный интерфейс, корпус TSOP-54  | ISSI | 355 шт Кратность: 5 Минимум: 10 | 3 дня |
| |||||||||||
 | MCHP | 406 шт Минимум: 5 | 3 дня |
| |||||||||||
MX25L3233FM2I-08G T/R Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP  | MACRONIX | 8978 шт Минимум: 9 | 3 дня |
| |||||||||||
 | SAMSUNG | 170 шт | 1 день |
| |||||||||||
 | Micron Technology | 816 шт | 3 дня |
| |||||||||||
 | MCHP | 285 шт Минимум: 6 | 3 дня |
| |||||||||||
 | INFINEON | 100 шт Минимум: 2 | 3 дня |
|
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
