Микросхемы памяти, стр.45
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.
Наименование | |
|---|---|
| Наименование | Производитель | Наличие | Срок | Цена с НДС | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | INFINEON | 5 шт | 3 дня |
| |||||||||||
 | MACRONIX | 81 шт Минимум: 2 | 3 дня |
| |||||||||||
 | WINBOND | 63 шт Минимум: 2 | 3 дня |
| |||||||||||
 | WINBOND | 14 шт Минимум: 8 | 3 дня |
| |||||||||||
 | MCHP | 268 шт Минимум: 4 | 3 дня |
| |||||||||||
 | NETSOL | 91 шт Минимум: 2 | 1 день |
| |||||||||||
GD25Q80ETIGR Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 3В 8Мбит -40°С...+85°С 8-Pin SOP (150mil) лента на катушке  | GIGADEV | 105 шт Минимум: 9 | 1 день |
| |||||||||||
 | Renesas | 605 шт Кратность: 10 Минимум: 20 | 3 дня |
| |||||||||||
 | MCHP | 51 шт Минимум: 7 | 3 дня |
| |||||||||||
MR4A16BCYS35R Магниторезистивное ОЗУ 16Мбит параллельный интерфейс питание 3.3В 54-Pin TSOP лента на катушке  | EVERSPIN | 14 шт | 3 дня |
|
x
| Товар добавлен в корзину | ||
| Оформить заказ Продолжить покупки | ||
