Микросхемы памяти, стр.31

Память

M95M04-DWDW3TP/V

Наличие: 20 шт

Статическое ОЗУ питание 3.3В 1М-бит 128Kx8 55нс асинхронное

IS62WV1288BLL-55TLI-TR

Наличие: 200 шт

микросхема памяти SRAM 128k x 8, 45нс

CY62128ELL-45SXI

Наличие: 70 шт

Память

W25Q64JVZEIM/TRAY

Наличие: 343 шт

Память

MX25L51245GMI-10G

Наличие: 373 шт

Память

SCB33S256160AE-6BI

Наличие: 530 шт

Память

SCB33S512160AE-6BI

Наличие: 154 шт

Статическая память 4мБит 512K x 8, 10нс, 2.5-3.3В

IS61WV5128BLL-10TLI-TR

Наличие: 30 шт

Статическая память 1мБит 8,8нс 3.3В

IS63WV1288DBLL-10TLI-TR

Наличие: 200 шт

Память

MX25L25635EMI-12G

Наличие: 77 шт

Память

MX25L6433FM2I-08G

Наличие: 328 шт

Память

MX25L3206EZUI-12G

Наличие: 225 шт

Флэш-память 4Mбит 50МГц 8SOIC SPI

SST25VF040B-50-4I-SAF

Наличие: 79 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Mбит

SST26VF016BT-104I/SN

Наличие: 594 шт

Память

M95M04-DWMN3TP/V

Наличие: 20 шт

Энергонезависимое ППЗУ архитектура ИЛИ-НЕ 4M шина SPI 104МГц 8SOIC

W25X40CLSSIG TR

Наличие: 4185 шт

Память

H27U2G8F2CTR-BC

Наличие: 2 шт

Флэш-память архитектура И-НЕ 1Гбит

MX35LF1GE4AB-Z4I TR

Наличие: 345 шт

Память

ZDV4256M16A-13DPH

Наличие: 190 шт

Память

W972GG6KB-25

Наличие: 144 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21