Микросхемы памяти, стр.29

ОЗУ статическое 4M LP 512X8 32-SOP

AS6C4008-55SINTR

Наличие: 132 шт

Флэш-память 2Гбит счетверенная шина SPI 16SOP

MX35LF2GE4AB-MI

Наличие: 77 шт

Энергонезависимое ППЗУ 2Kбит -40°C...+85°C SOT-23-5

AT24CS02-STUM-T

Наличие: 25 шт

микросхема памяти, SRAM, SERIAL, 256KБ 2.7В SO8 23K256-I/SN

23K256T-I/SN

Наличие: 495 шт

Энергонезависимое статическое ОЗУ 1Мбит 40МГц 16SOIC

CY14B101PA-SFXIT

Наличие: 33 шт

Память

AT24C64CM/TR

Наличие: 2097 шт

Флэш-память 8Мбит питание 2.3....3.6В -40....+85°С

P25Q80SH-SSH-IT

Наличие: 14963 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шины SPI Dual SPI Quad SPI питание 2.5В/3В/3.3В 64Мбит 8Mx8 8нс 16-Pin SOIC W лента на катушке

IS25LP064A-JMLE-TR

Наличие: 423 шт

Память

AT24C512CM/TR

Наличие: 1305 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3.3В 16Мбит 16M/8M x 1/2-бит 8нс 8-Pin SOP

MX25L1606EM2I-12G/T&R

Наличие: 970 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Мб (2M x 8) шина SPI счетверенный порт 120МГц [SOP-8]

GD25Q16CTIGR

Наличие: 194 шт

Память

GD25LQ256DWIGR

Наличие: 169 шт

Память

MX25L6433FM2I-08G

Наличие: 63 шт

Динамическое ОЗУ AS4C8x серия 128 Мбит (8 МБ x 16) 3.6 В 143 МГц синхронное - TSOP-54

AS4C8M16SA-7TCNTR

Наличие: 752 шт

Память

ZD25WQ16CTIGR

Наличие: 1987 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Мб (2M x 8) шина SPI счетверенный порт 120МГц

GD25Q16CSIG

Наличие: 5967 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 64Мбит 64M/32M x 1/2-бит 8нс 8-Pin SOP

MX25L6406EM2I-12G

Наличие: 422 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 256Kбит 3.4МГц 8SOIC

FM24V02A-GTR

Наличие: 1379 шт

Память

GD25Q64ESIG

Наличие: 4363 шт

Флэш-память шина SPI 128Мбит, рекомендуемая замена W25Q128JVFIQ

W25Q128FVFIG/TRAY

Наличие: 1681 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21