Микросхемы памяти, стр.28

Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Флэш-память шина SPI электропитание 3.3В 32Мбит 8нс

AT25SF321-SSHD-T

Наличие: 305 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кБит/256кБит 14SOIC

FM31L278-GTR

Наличие: 1217 шт

память SRAM 128K x 8, 2.7... 5.5В, 55нс

AS6C1008-55PCN

Наличие: 5 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 16Kx8

24LC128-I/P

Наличие: 600 шт

микросхема памяти EEPROM serial SPI, 2Мбит 5МГц

M95M02-DRMN6TP

Наличие: 1569 шт

Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 400КГц

M24128-BWMN6TP

Наличие: 6663 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC

FM24V10-GTR

Наличие: 1472 шт

256-Kbit (32k x 8) Serial (I2C) F-RAM

FM24W256-GTR

Наличие: 2404 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 400КГц 8SOIC

CAT24C256WI-GT3

Наличие: 10037 шт

Флэш-память архитектура И-НЕ параллельная 3В/3.3В 1Гбит 128M x 8 25нс

MX30LF1G28AD-TI

Наличие: 121 шт

микросхема памяти EEPROM 5.5В 2K (256x8) PDIP-8

M24C02-WBN6

Наличие: 230 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шины (SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) питание 3В/3.3В 8M-бит 1M x 8 6нс 8-Pin SOIC

W25Q80DVSSIG

Наличие: 3326 шт

IC SRAM 8MBIT 45NS 44TSOP

CY62157EV30LL-45ZSXIT

Наличие: 470 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Mбит 70нс 48TSOP

MX29LV160DBTI-70G

Наличие: 77 шт

Флэш-память 64Mбит, электропитание 2.7В, 50МГц

M25P64-VMF6TP

Наличие: 61 шт

Выводить по:


AlfaSystems GoPro GP261D21