Микросхемы памяти, стр.26

Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 2МГц 8SO

M93C56-WMN6TP

Наличие: 2939 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 20МГц 8SOIC

FM25L16B-GTR

Наличие: 1265 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 1Kx8

AT24C08C-SSHM-T

Наличие: 3476 шт

Энергонезависимая память тип: EEPROM, интефейс: Serial, I2C; 16Kx8, 400kHz, 1.8...5.5V

CAT24C128WI-GT3

Наличие: 1601 шт

Энергонезависимое статическое ОЗУ параллельное 64Кбит питание 5В 28-Pin EDIP туба

DS1225AD-150+

Наличие: 1 шт

Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 4Мбит 256К x 16 10нс асинхронное 44-Pin TSOP лоток

CY7C1041GN30-10ZSXIT

Наличие: 236 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64Mбит 104МГц 8SOP

MX25L6435EM2I-10G T&R

Наличие: 440 шт

Флэш-память 2Мбит 70нс 32DIP

SST39SF020A-70-4C-PHE

Наличие: 94 шт

IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ

CY7C109D-10VXI

Наличие: 880 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 32Mбитt 32M/16M x 1/2-битt 6нс

MX25L3206EM2I-12G

Наличие: 169 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 16Kбит 1МГц SRL 8SOIC

FM24CL16B-GTR

Наличие: 5537 шт

Энергонезависимая память

M48Z58Y-70PC1

Наличие: 88 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 512кбит 3.4МГц шина I2C 8SOIC

FM24V05-GTR

Наличие: 2385 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16Мб (2M x 8) шина SPI счетверенный порт 120МГц

GD25Q16CSIGR

Наличие: 34 шт

Флэш-память последовательная 1.8В/3.3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 12нс

MX25R3235FM2IL0 T/R

Наличие: 203 шт

Выводить по:


AlfaSystems GoPro GP261D21