Микросхемы памяти купить оптом и в розницу в интернет-магазине Элрус, стр.22

Список Витрина

Сортировать:

по популярностипо именипо цене

24AA02-I/SN

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 400КГц 8SOIC

Наличие: 693 шт

W25Q64FVSSIG/TUBE

Флэш-память шина SPI 64Мбит

Наличие: 9 шт

M93C86-WBN6P

Энергонезависимое ППЗУ шина MICROWIRE 16K электропитание 2.5В

Наличие: 1078 шт

S3A1004V0M-AI1AT00

Память

Наличие: 83 шт

GD25Q80CTIGR

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 8Мбит -40°С....+85°С SOP8 150mil

Наличие: 7017 шт

IS25LP064A-JMLE

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64Mбит, электропитание 2.5...3,3В, SO16W

Наличие: 381 шт

M24C01-WBN6P

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 128x8 электропитание 2.5В, -40°...+85°С

Наличие: 294 шт

SST39VF1601-70-4I-EKE

Флэш-память 16Mбит 70нс 48TSOP

Наличие: 122 шт

MT29F4G08ABADAWP-IT:D

Флэш-память архитектура И-НЕ питание 3В 4Гбит 512M х 8 48-Pin TSOP-I лоток

Наличие: 758 шт

EPCS64SI16N

Конфигурационная память 64Mбит 16SOIC

Наличие: 421 шт

25LC640-I/P

Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8

Наличие: 102 шт

W25Q32JVSSIQ TR

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 32 Мбит (4 Mх8) счетверенная шина SPI питание 2.7-3.6В 133МГц 8-SOIC

Наличие: 521 шт

25LC640AT-I/SN

Энергонезависимое ППЗУ шина SPI 8Kx8

Наличие: 4293 шт

MX30LF1G28AD-TI

Флэш-память архитектура И-НЕ параллельная 3В/3.3В 1Гбит 128M x 8 25нс

Наличие: 816 шт

GD25Q32ESIGR

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP

Наличие: 4364 шт

25AA02E48T-I/OT

Энергонезависимое ППЗУ 2К-бит 10МГц

Наличие: 630 шт

AT88SC0404C-PI

Энергонезависимое ППЗУ 4K-бит

Наличие: 305 шт

25LC640A-I/P

Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8DIP

Наличие: 49 шт

W25Q128JVSIM/REEL

Флэш-память сдвоенная/счетверенная шина SPI 128М-бит электропитание 3В

Наличие: 121 шт

FM11NT081DI-DNC-T-G

Наличие: 50 шт

Загрузить еще

Выводить по:

Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупроводниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, необходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигналов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Ваше имя *
E-mail *
Количество
Доставка

Комментарий к заказу
Для получения счета на оплату прикрепите реквизиты

Микросхемы памяти, стр.22

Оформить заказ