Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.19

Память

P25Q80U-SSH-IT

Наличие: 2327 шт

Память

W9825G6KH-6

Наличие: 8579 шт

Память

P25CM02F-SSH-MIR

Наличие: 6902 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 256Мб (32M x 8) шина SPI сдвоенный/счетверенный порт 104МГц [WSON-8 (6x8)]

GD25Q256CYIGR

Наличие: 24 шт

Динамическое ОЗУ AS4C16x серия 256 Мбит (16 МБ x 16) 3.3 В 143 МГц синхронное - TSOP II-54

AS4C16M16SA-7TCN

Наличие: 227 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 16М-бит поддержка SPI 208 Мбит/с (двойной/четырехкратный - 416 Мбит/с)

GD25WQ16ETIGR

Наличие: 11835 шт

ЭППЗУ 256-Кбит шина I2C питание 1,7.... 5,5В 1МГц -40....+85°С

P24C256B-TSH-MIR

Наличие: 57212 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256К-бит 90нсек 32PLCC

AT28HC256-90JU

Наличие: 34 шт

IC SRAM 32K X 8 5.0V 28-SOJ

AS7C256A-15JINTR

Наличие: 125 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3В/3.3В 16Мбит 6нс 8-Pin SOIC лента на катушке

W25Q16JVSNIQ/REEL

Наличие: 530 шт

Флэш-память 2Мбит 70нс 32DIP

SST39SF020A-70-4C-PHE

Наличие: 84 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 32Kx8

24LC256T-I/SM

Наличие: 1293 шт

Флэш-память азхитектура И-НЕ параллельная питание 3.3В 2Г-бит 256M x 8 48-Pin TSOP-I лоток

W29N02KVSIAF TRAY

Наличие: 13 шт

IC SRAM 4MBIT 45NS 32TSOP

CY62148EV30LL-45ZSXI

Наличие: 1352 шт

Флэш-память 2Мбит 70нс 32PLCC

SST39VF020-70-4I-NHE

Наличие: 41 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP

GD25Q32ESIG

Наличие: 1181 шт

Флэш-память 4Мбит питание 1.65....3.6В -40....+85°С

P25Q40U-SSH-IR

Наличие: 3802 шт

Флэш-память шина SPI 16Мбит

W25Q16JVSSIQ/REEL

Наличие: 433 шт

Память

MX25V1635FZNQ

Наличие: 10231 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 4Мбит 75МГц 8VFQFPN

M25PE16-VMP6TG

Наличие: 136 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21