Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.14

Микросхема W25Q128JVFIQ

W25Q128JVFIQ

Наличие: 12 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 2Mбит 70МГц 8SOIC

AT45DB021E-SSHN-T

Наличие: 3214 шт

Динамическое ОЗУ DDR2 1Гбит 2.5нС 60FBGA

MT47H128M8SH-25E IT:M

Наличие: 117 шт

Память

P25C256F-SSH-MIR

Наличие: 4209 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ (шина SPI, сдвоенная SPI, счетверенная SPI) электропитание 3В/3.3В 512Мбит 512M/256M/128M x 1/2-бит/4-бит 8нс

MX25L51245GMI-10G T/R

Наличие: 867 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина MICROWIRE 2K

AT93C56B-SSHM-T

Наличие: 4146 шт

Конфигурационная память 512Кбит 20PLCC

AT17LV512A-10JU

Наличие: 70 шт

Память

ZDSD08GLGEAG

Наличие: 172 шт

Энергонезависимое ППЗУ 4К-бит 13553....13567кГц 8TSSOP лента на катушке

M24LR04E-RDW6T/2

Наличие: 1006 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 400КГц 8SOIC

24LC512T-I/SN

Наличие: 3239 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина MICROWIRE 4K

93LC66B-I/P

Наличие: 245 шт

Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 400КГц

24LC64T-I/OT

Наличие: 600 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 128x8 электропитание 1.8В, -40°...+85°С

M24C01-RMN6TP

Наличие: 2108 шт

Флэш-память шина SPI питание 1.8В 64М-бит 4кБ форматируемый сектор SOP8 (208mil)

W25Q64FWSSIQ

Наличие: 9033 шт

[SOT-23]; ESD Protection Devices ROHS; =PESD5V0L2BT(NXP)

PESD5V0L2BT

Наличие: 613399 шт

Память

ZD25WQ16BUIGR

Наличие: 1498 шт

Статическое ОЗУ питание 3.3В 4М-бит 256Kx16 55нс асинхронное

IS62WV25616BLL-55TLI

Наличие: 106 шт

память SRAM 128K x 8, 3.3В, -40...+85C

AS6C1008-55TIN

Наличие: 84 шт

IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ

CY7C199D-10VXI

Наличие: 177 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21