Получите скидку 3% при самостоятельном оформлении заказа на сайте! (для юридических лиц и ИП)

Микросхемы памяти, стр.11

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64K шина SPI 20МГц 8SOP

MB85RS64VPNF-G-JNERE1

Наличие: 4755 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 32Mбитt 32M/16M x 1/2-битt 6нс

MX25L3206EM2I-12G

Наличие: 2884 шт

Энергонезависимое ППЗУ 128К-бит 20МГц 8SOIC

AT25128B-SSHL-T

Наличие: 2680 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 3В 4Мбит -40°С...+85°С 8-Pin SOP (150mil) лента на катушке

GD25Q40ETIGR

Наличие: 3734 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кБит/256кБит 14SOIC

FM31L278-GTR

Наличие: 1286 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В/3.3В 256Мбит 256M/128M/64M x 1/2-бит/4-бит 15нс 16-Pin SOP

MX25L25635EMI-12G TR

Наличие: 222 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 20МГц 8DIP

25LC512-I/P

Наличие: 17 шт

Энергонезависимое ППЗУ 256K-бит 1МГц 8SOIC

24FC256T-I/SN

Наличие: 779 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 512x8

24LC04BT-I/SN

Наличие: 5628 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ 64кбит 20МГц шина SPI 8SOIC

FM25640B-GTR

Наличие: 5725 шт

Энергонезависимая память

M491BB1

Наличие: 9 шт

Флэш-память 8Мбит шина SPI 104МГц 8SOIC

W25Q80DVSNIG/REEL

Наличие: 1618 шт

IC SILICON SERIAL NUMBER SOT-23

DS2411R+T&R

Наличие: 299 шт

IC SRAM 8MBIT 55NS 44TSOP

AS6C8016-55ZIN

Наличие: 87 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1Mбит 20МГц 8DIP

25LC1024-I/P

Наличие: 237 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 128Mбит 104МГц 8WSON

MX25L12835FZ2I-10G T/R

Наличие: 92 шт

Сегнетоэлектрическое ОЗУ память с SPI интерфейсом, 2 Мбит, электропитание 2...3.6 В, -40...85 °C

FM25V20A-GTR

Наличие: 4026 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит 1МГц 8SOIC

CAT24C512WI-GT3

Наличие: 16229 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 64 Мб (8M x 8) шина SPI счетверенный вход/выход 133МГц 8-SOIC

W25Q64JVSSIQ/REEL

Наличие: 260 шт

Энергонезависимое ППЗУ 16К-бит 10МГц 8SO

M95160-WMN6TP

Наличие: 825 шт

Выводить по:
Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.


AlfaSystems GoPro GP261D21