Микросхемы памяти, стр.11

Микросхемы памяти
Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ).

Каждый ЗЭ способен хранить один бит информации. При матричной организации ИМС памяти реализуется координатный принцип адресации ячеек.

Флэш-память шина SPI 128Мбит, рекомендуемая замена W25Q128JVSIQ

W25Q128FVSIG/REEL

Наличие: 7518 шт

ОЗУ статически-динамическое 256Мбит 16Mx16 питание 3.3В 54-Pin TSOP-II лоток

AS4C16M16SA-6TIN

Наличие: 805 шт

Энергонезависимое ППЗУ 512К-бит шина I2C

P24C512B-TSH-MIR

Наличие: 53184 шт

DRAM DDR3 4G 256MX16 FBGA

MT41K256M16TW-107 IT:P

Наличие: 1224 шт

Флэш-память шина SPI 8Мбит

W25Q80DVSNIG

Наличие: 5496 шт

Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 5МГц 8SO

M95M01-RMN6TP

Наличие: 8842 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ шина SPI электропитание 3.3В 32Mбитt 32M/16M x 1/2-битt 6нс

MX25L3206EM2I-12G T/R

Наличие: 516 шт

Память

AT24C512CM/TR

Наличие: 1305 шт

Флэш-память 16Mбит, электропитание 2.7:3.6В, шина SPI

GD25Q16ETIGR

Наличие: 9905 шт

Флэш-память шина SPI 16Мбит

W25Q16JVSSIQ

Наличие: 2583 шт

Энергонезависимое ППЗУ шина I2C 32Kx8

AT24C256C-SSHL-T

Наличие: 12518 шт

Конфигурационная память 256Mбит 16SOIC

EPCQ256SI16N

Наличие: 42 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP

GD25Q32ESIG

Наличие: 94 шт

Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ питание 3В 4Мбит -40°С...+85°С 8-Pin SOP (150mil) лента на катушке

GD25Q40ETIGR

Наличие: 2387 шт

Память

S3R4016V1M-UI70000

Наличие: 99 шт

Выводить по:


AlfaSystems GoPro GP261D21