LQG15HN2N2S02D

* Изображения служат только для ознакомления

LQG15HN2N2S02D | Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн +0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Обновляем информацию по складам...
ID: 1991240
Для заказа доступно несколько партий LQG15HN2N2S02D.
Выбирайте оптимальный вариант по цене и сроку.

Количество Введите необходимое количество. Лучшая цена будет выделена рамкой

ПроизводительНаличиеСрокЦена с НДСЗаказать

MURATA

67199 шт

Минимум: 406

1 день
От 10,49 ₽
-шт+

MURATA

37756 шт

Минимум: 250

3 дня
От 100000,59 ₽
От 44740,67 ₽
От 22370,82 ₽
От 11191,05 ₽
От 11,44 ₽
-шт+

Данные обновлены 16.09.2025

  • Описание
    Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн +0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по постоянному току 0402 лента на катушке
    Производитель
    MURATA
    Корпус
    SMD040210X05MM
    Вес
    0.011 грамм
  • Индуктивность номинальная 2.2 нГн, Допуск по индуктивности ±0.3нГн , Ток рабочий 900 мА, Корпус производителя SMD 0402 , Экранирование магнитное нет , Температура рабочая, min -55 °C, Температура рабочая, max 125 °C, Примечание General, Up to 125℃, Multilayer type, Reflow soldering
  • Документация LQG15HN2N2S02Ddatasheet.pdf

x


AlfaSystems GoPro GP261D21