Дроссели и индуктивности, стр.36

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 180мОм по постоянному току 0402

Индуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 100uH 10% 1KHz 55Q-Factor Ferrite 1A 0.33Ohm DCR RDL Bag

Силовая SMD индуктивность 4.7мкГн +30% 1.2A 0.11Ом c магнитным экраном

Дроссель синфазный SMD 1мГн 800мА 2 линии 6кОм

Силовая SMD индуктивность 6.8мкГн +30% 6.28A 0.014Ом c магнитным экраном

Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 210мОм по постоянному току 0402 лента на катушке

Проволочная чип индуктивность 0805 4700nH 5% Ir=90mA 3.8 Ohms

Катушка индуктивности силовая проволочная экранированная 10мкГн +30% 100кГц 24Q-Фактор феррит 3.8A 25мОм по постоянному току лента на катушке

Катушка индуктивности силовая проволочная полуэкранированная 4.7мкГн +20% 100кГц 15Q-Фактор феррит 3.1A 35мОм по постоянному току 2020 лента на катушке

Индуктивность SMD силовая полуэкранированная проволочная 15мкГн +20% 100кГц 17Q-Фактор феррит 1.8A 96мОм по постоянному току 2020 лента на катушке

Проволочная SMD индуктивность 68нГн +5% 460мА 230мОм по постоянному току

Силовая SMD индуктивность 22мкГн +30% 1.3A 0.071Ом c магнитным экраном

Силовая SMD индуктивность 47мкГн +30% 0.48A 0.435Ом c магнитным экраном

Силовая SMD индуктивность 3.5мкГн +40%-20% 7.5A 0.01Ом c магнитным экраном

ЧИП-индуктивность силовая проволочная экранированная 1.5мкГн +20% 100кГц Metal 4.7A 0.04Ом лента на катушке

Проволочная SMD индуктивность 47нГн +5% 450мА 230мОм по постоянному току

ЧИП-индуктивность развязки 1210 100мкГн, 120мА, по постоянному току 3700мОм

ЧИП-индуктивность экранированная 3,3мкГн +20% 6A 30мОм 2525 лента на катушке

Индуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 47uH 10% 2.52MHz 30Q-Factor Ferrite 1.56A 140mOhm DCR RDL Bag

Индуктивность проволочная, радиальная, на ферритовом сердечнике 10uH 10% 2.52MHz 50Q-Factor Ferrite 2.7A 48mOhm DCR RDL Bag